Abschnitt I:

I.1) Helmholtz-Zentrum Geesthacht

Zentrum für Material- und Küstenforschung

Max-Planck-Str. 1

21502 Geesthacht

Fax: +49 4152-871750

E-Mail: einkauf@hzg.de

Internet: www.hzg.de

I.2) Gemeinsame Beschaffung

I.3) Kommunikation Die Auftragsunterlagen stehen für einen uneingeschränkten und vollständigen direkten Zugang gebührenfrei zur Verfügung unter: Internet: vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/notice/CXP9YCQDHZN Weitere Auskünfte erteilen/erteilt die oben genannten Kontaktstellen Angebote oder Teilnahmeanträge sind einzureichen elektronisch via: Internet: vergabemarktplatz.brandenburg.de/VMPCenter/notice/CXP9YCQDHZN

I.4) Art des öffentlichen Auftraggebers Einrichtung des öffentlichen Rechts

I.5) Haupttätigkeit(en) Andere Tätigkeit: Forschung

Abschnitt II: Gegenstand

II.1) Umfang der Beschaffung

II.1.1) Bezeichnung des Auftrags: Rasterelektronenmikroskope der Bekanntmachung: 10087073

II.1.2) CPV-Code Hauptteil 38511100

II.1.3) Art des Auftrags Lieferauftrag

II.1.4) Kurze Beschreibung:

Los1: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie – Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem: Feldemitter REM mit fokussiertem GaIonenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule:

Los 2: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System. Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen. Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung.

II.1.5) Geschätzter Gesamtwert

II.1.6) Angaben zu den Losen Aufteilung des Auftrags in Lose: ja Angebote sind möglich für alle Lose

II.2) Beschreibung

II.2.1) Bezeichnung des Auftrags: Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM)

Los-Nr.: 1 II.2.2) Weitere(r) CPV-Code(s) 38511100 II.2.3) Erfüllungsort NUTS-Code: DEF06 Hauptort der Ausführung: Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung Max-Planck-Str. 1 21502 Geesthacht II.2.4) Beschreibung der Beschaffung: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein Focused Ion Beam – Rasterelektronmikroskop (FIB-REM) mit Energiedispersive Röntgenspektroskopie - Electron Back Scatter Diffraction (EDX-EBSD) Analysensystem: Feldemitter REM mit fokussiertem Ga-Ionenstrahlsystem für 3D-Analysen, wie Tomographie-, EDX- und EBSD-Messungen mit hoher Auflösung, hohem Strahlstrom und Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule: REM — REM-Auflösung < 1.5 nm bei ~ 15 keV im Koinzidenzpunkt, — Hoher max. Strahlstrom von Elektronenstrahl und Ionenstrahl ~ 100 nA, — Großes FOV (Field of View) > 10 mm2 im Koinzidenzpunkt mit hoher Auflösung, Bildspeicher > 30 k x 30 k Pixel, — Euzentrischer Probentisch durch mechanische Bewegung: X/Y >= 100 mm; Z >= 50 mm; R 360o; T <=-4o bis >=+70o, Positionsspeicher, — Probenkammer mit mind. 18 Ports (z.B. genügender Freiraum für ein In-situ Zug-Druck-* oder ein Heiz-Modul*.), — Probenwechsel-Schleuse (Vorvakuum-Kammer) mit mehreren Probenhalterungen > 2, Schneller Probenwechsel < 2 min, — Sekundärelektronen Detektor (Everhart-Thornley-Detektor), Sekundär-Ionen Detektor, Rückstreuelektronen Detektor (rückziehbar), — In-lens Detektoren für Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen, — STEM Detektor (Scanning Transmission Elektron Mikroskop Detektor, rückziehbar, Software Steuerung) für Bright-Field, Dark-Field und High-Angle-Dark-Field Modi, Auflösung < 0.7 nm bei 30kV — Probenkammerüberwachung (Chamberview), — Probenstrom Messung, — Signalmischer, Autofocus, Autostigmator, dynamischer Fokus, — Motorisierter Aperturblendenwechsler, — Automatische Kammerniveauregulierung, — Makroprogrammierung für Steuerbefehle, — 3D Messungen mit frei regelbarem Strom für Abbildung und EDX/EBSD-Analysen (während der Tromographie soll zwischen beiden Abbildungsbedingungen automatisch geschaltet werden) — 3D Bildbearbeitungssoftware inkl. 3D-Tomographie und -Driftkorrektur, — Touch Alarm, — Plasma-Reiniger, — Mikromanipulator für Probenentnahme, — Schwingungsdämpfung, — Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 3 000 W, Überbrückung > 30 Min bei 50 % Belastung. FIB — Ga Ionenstrahlsäule, — Auflösung ? 3 nm (Ga) bei ~ 30 kV, — Strahlstrom 1pA ~ 100 nA, freiwählbar, — 1 GIS für einen Precursor (Pt Precursor), — Motorisierter Blendenwechsler, — Eigenständiger Scan-Generator für FIB (volle REM-Kontrolle während der FIB-Operation, On-line Kontrolle und Bestimmung der Abtrag- und Schnittdicke während der FIB-Operation, frei wählbare ROI während der 3D-Tomographie), — Software für automatische Präparationsroutinen, z.B. Querschliffe, TEM- Lamellen, — Einbindung in REM-Steuer-, 3D Tomographie-, EBSD- und EDX-Software. EDX — EDX Detektor mit 100 mm2 Detektorfläche, — Detektion der Elemente von Be bis Cf, — EDX mit SDD (Silizium-Drift-Detektor) Pulseprozessor, Bildaufnahme, Mapping und aktiver Strahlsteuerung, — Auflösung bei 130 000 cps: ?127 eV bei Mn K?, ?56 eV bei C K? — Quantitative Analyse bei >= 400 000 counts/s, Mapping bei >= 1 000 000 counts/s, — Live Bildeinzug, Mapping und Spektrum, — Softwarepaket zur qualitativen und quantitativen Analyse in 2D und 3D, Darstellung von Phasen- und Elementverteilungen, — Möglichkeit zur manuellen Optimierung des Pile-up-Koeffizienten, — Überlagerung von nicht Pile-up korrigiertem Spektrum mit korrigiertem Spektrum, — Einblendung von theoretischen Peak-Profilen zur Überprüfung der automatischen. Elementidentifikation EBSD — EBSD Kamera mit CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Sensor für hohe Geschwindigkeit und Auflösung: Geschwindigkeit > 200 pps bei Pixel > 1 000 x 1 000 und simultan mit EDX, — Hohe Sensitivität auch bei geringen Beschleunigungsspannungen und Strahlströmen (effektiver Betrieb bei < 5 kV und 100 pA), — Integrierter Infrarot-Filter für in-situ Heizexperimente, — Winkelauflösung (angular resolution) < 0.1o — Forward Scatter-Detektor System mit Z-Kontrast, — Unterstützung TKD (Transmission Kikuchi Diffraction) Analysen, Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung. II.2.5) Zuschlagskriterien Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium; alle Kriterien sind nur in den Beschaffungsunterlagen aufgeführt II.2.7) Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung, des dynamischen Beschaffungssystems oder der Konzession Beginn: 30.07.2018 Ende: 15.12.2018 Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein II.2.10) Angaben über Varianten/Alternativangebote Varianten/Alternativangebote sind zulässig: nein II.2.11) Angaben zu Optionen Optionen: nein II.2.12) Angaben zu elektronischen Katalogen II.2.13) Angaben zu Mitteln der Europäischen Union Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm, das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein II.2.14) Zusätzliche Angaben

II.2) Beschreibung

II.2.1) Bezeichnung des Auftrags: Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop

Los-Nr.: 2 II.2.2) Weitere(r) CPV-Code(s) 38511100 II.2.3) Erfüllungsort NUTS-Code: DEF06 Hauptort der Ausführung: Helmholtz-Zentrum Geesthacht Zentrum für Material- und Küstenforschung Max-Planck-Str. 1 21502 Geesthacht II.2.4) Beschreibung der Beschaffung: Diese Leistungsbeschreibung spezifiziert ein FE- Ga-FIB- REM (Feldemissions Gallium Focused Ion Beam Rasterelektronenmikroskop) mit EDX (Energiedispersiven Röntgen)- Analysensystem und optionalem Quadrupol- oder ToF- SIMS (Time of Flight Sekundär Ionen Massenspektrometer) System. Schottky- Feldemitter REM für hohe Auflösung und hohen Strahlstrom, mit fokussiertem Ionenstrahlsystem, Beschleunigungsspannungserhöhung in der Säule für bessere Auflösung bei kleinen Hochspannungen. Anwendungsbereich im Bereich Materialforschung. Es kommen Magnesium(-legierungs) Proben mit nichtleitfähigen Beschichtungssystemen vor und nach Korrosionsversuchen zur Untersuchung. Daher wird besonders Wert auf die Fähigkeiten zur Untersuchung bei niedrigen Beschleunigungsspannungen gelegt. Das REM soll mit einer großen Probenkammer für spätere Aufrüstungen ausgestattet sein. Es wird ein ölfreies Pumpsystem benötigt. Für die Vereinfachung der Aufstellung wird aktive Schwingungsdämpfung und automatische Kammernivellierung bevorzugt. SE (Sekundarelektronen) ausziehbarer BSE (Rückstreuelektronen)- Detektor in Kammer und Säule sind Voraussetzung, ebenso wie Probenkammerkamera „Chamberview“, Probenstrommessung und Touch- Alarm. Die nötigen Hard- und Softwarevoraussetzungen für eine unbeaufsichtigte FIB- 3D Schichtaufnahme mit gleichzeitiger Elementverteilungsaufnahme mit EDX sollten vorhanden sein. Das EDX- System soll optional mit einem fensterlosen Detektor angeboten werden. Optional soll ein TOF- oder Quadrupol- SIMS angeboten werden, das ebenfalls für eine unbeaufsichtigte 3D Schichtaufnahme mit örtlicher Darstellung des SIMS Ergebnisses mit entsprechender Hard- und Software ausgerüstet sein soll. Es ist erlaubt, auch Hersteller oder Distributor- Demo Systeme anzubieten. 1) Beschreibung der technischen (Mindest-)Anforderung REM (Rasterelektronenmikroskop) — Schottky FE- FIB Rasterelektronenmikroskop, — <=0,2 bis >=30 kV Beschleunigungsspannung, — Strahlstrom: >= 100 nA, — Auflösung <=2.0 nm bei 1 keV, — FoV (Field of View) >= 10mm2 an Koinzidenzpunkt, — Beam decel. (Abbrems- oder Beschleunigungs-), — Auflösungs- und Schärfentiefemodus, — Rasterfeldrotation, — Autofocus, — Autostigmator, — dynamischer Fokus, — Messtools: Punkt, Line, Kreisdurchmesser, Winkel, — Makroprogrammierung, — Probenstrom Messeinrichtung, — motorisierter Aperturblendenwechsler, — Hochvakuumsystem, — Detektoren SE (Everhard Thornley), BSE jeweils in Kammer (BSE rückziehbar) und Säule, — simultanes InLens SE- und BSE- Imaging, — STEM / TE-System (Scanning Transmission System), rückziehbar, — Ölfreies Pumpsystem, — Probenkammerüberwachung (Chamberview), — Touch Alarm, — Große Probenkammer mit min 18 Ports, — euzentrischer Probentisch: voll-motorisierter Probentisch mit X/Y: >=100 mm; Z: >=50 mm; R: 360o; T: <=-4o bis >=+70o, Positionsspeicher, — Mikromanipulator für Probenentnahme, — Elektronen Flood Gun, — Referenzpositionierung, — Softwaremodul: korrelative Mikroskopie, Übertragung von Positionsfiles anderer Bildquellen (z.B. Lichtmikroskopie) — Erweitertes 3D Tomographie Softwarepaket, automatische 3D Drift Korrektur, Bildstapel ausrichten, frei regelbarer und ablaufgesteuerter, kleiner Strahlstrom für Bildaufnahme, hoher Strahlstrom für EDX, — Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) mit mind. 2 kW, — aktive Schwingungsdämpfung, — automatische Kammernivellierung, — REM muss mit ToF- SIMS aus-/ nachrüstbar sein, inklusive Softwareintegration, siehe Punkt 7, — optional: Sekundärionen- Detektor. FIB — Ga Ionenstrahlsäule, — Auflösung <= 3 nm (Ga) bei 30kV und 1 pA, — <= 1pA bis >= 50 nA Strahlstrom, — Anregungsspannung <= 0,5 bis >= 30 kV, — 1 GIS (Gas Injektor System) für einen Precursor, mit PT Precursor bestückt, — motorisierter Aperturblendenwechsler, — Beam Blanker und Faraday- Käfig. Weitere Beschreibung siehe Leistungsbeschreibung. II.2.5) Zuschlagskriterien Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium; alle Kriterien sind nur in den Beschaffungsunterlagen aufgeführt II.2.7) Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung, des dynamischen Beschaffungssystems oder der Konzession Beginn: 30.07.2018 Ende: 15.12.2018 Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein II.2.10) Angaben über Varianten/Alternativangebote Varianten/Alternativangebote sind zulässig: nein II.2.11) Angaben zu Optionen Optionen: nein II.2.12) Angaben zu elektronischen Katalogen II.2.13) Angaben zu Mitteln der Europäischen Union Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm, das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein II.2.14) Zusätzliche Angaben

Abschnitt III: Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Angaben

III.1) Teilnahmebedingungen

III.1.1) Befähigung zur Berufsausübung einschließlich Auflagen hinsichtlich der Eintragung in einem Berufs- oder Handelsregister Auflistung und kurze Beschreibung der Bedingungen: 1) Eigenerklärung zur Eintragung ins Handelsregister: Den Nachweis über die Eintragung in das Handelsregister führen wir über die folgenden Angaben Registerführendes Amtsgericht Handelsregisternummer Oder Vergleichbare Eintragung (EU). 2) Erklärungen folgenden Inhalts: a) Wir erklären, dass über unser Vermögen kein Insolvenzverfahren oder kein vergleichbares gesetzlich geregeltes Verfahren eröffnet oder die Eröffnung beantragt worden ist oder der Antrag mangels Masse. Abgelehnt worden ist bzw. dass sich das Unternehmen sich nicht in Liquidation befindet; b) Wir erklären, dass wir unseren Verpflichtungen zur Zahlung von Steuern und Abgaben sowie der Beiträge zur gesetzlichen Sozialversicherung ordnungsgemäß nachkommen; c) Wir erklären, dass wir Mitglied in der für uns zuständigen Berufsgenossenschaft sind; d) Wir erklären, die öffentlich-rechtlichen Bestimmungen gegen Schwarzarbeit, illegale Arbeitnehmerüberlassung und gegen Leistungsmissbrauch (z.B. §§ 404 Abs. 1 Nr. 2, Abs. 2 Nr. 2 des Dritten Buches Sozialgesetzbuch. §§ 15, 15a, 16 Abs. 1 Nr. 1, 1b und 2 des Arbeitnehmerüberlassungsgesetzes) einzuhalten. 3) Eigenerklärung gemäß der „Richtlinie über den Ausschluss von Bewerbern und Bietern von der Vergabe öffentlicher Aufträge wegen schwerer Verfehlungen, die ihre Zuverlässigkeit in Frage stellen“: DE Standardformular 02 – Auftragsbekanntmachung 8 / 19. Der Bieter hat mit Abgabe seines Angebotes zum Nachweis seiner Zuverlässigkeit gemäß bzw. analog § 6.Abs. 5 lit. c) bzw. § 6 EG Abs. 6 lit. c) VOL/A bzw. § 4 Abs. 9 lit. c) VOF eine Eigenerklärung abzugeben. Ein Angebot kann von der Wertung ausgeschlossen werden, wenn die Erklärung nicht rechtzeitig vorgelegt wird. Oder unzutreffende Erklärungen abgegeben werden. Die Angaben werden ggf. von der Vergabestelle durch eine Auskunft aus dem Gewerbezentralregister nach § 150 a Gewerbeordnung (GewO) überprüft. Ich/Wir erklären, dass. — ich/wir in den letzten 2 Jahren nicht gem. § 21 Abs. 1 Satz 1 oder 2 des Gesetzes zur Bekämpfung der Schwarzarbeit und illegalen Beschäftigung (SchwarzArbG) oder gem. § 6 Satz 1 oder 2 Arbeitnehmerentsendegesetz (AEntG) mit einer Freiheitsstrafe von mehr als 3 Monaten oder einer Geldstrafe von mehr als 90 Tagessätzen oder einer Geldbuße von mehr als 2 500 EUR belegt worden bin/sind, — keine Verfehlungen vorliegen, die meinen/unseren Ausschluss vom Wettbewerb rechtfertigen könnten Verfehlungen, die in der Regel zum Ausschluss des Bewerbers oder Bieters von der Teilnahme am Vergabeverfahren führen, sind – unabhängig von der Beteiligungsform, bei Unternehmen auch unabhängig von der Funktion des Täters oder Beteiligten -: — Straftaten, die im Geschäftsverkehr oder im Bezug auf diesen begangen worden sind, u.a. Betrug, untreue Urkundenfälschung, Diebstahl, Erpressung, — das Anbieten, Versprechen oder Gewähren von Vorteilen an Amtsträger oder an nach dem Gesetz über die förmliche Verpflichtung nicht beamteter Personen besonders Verpflichtete oder an Personen, die für den öffentlichen Dienst besonders Verpflichteten nahe stehen (Beste-chung/Vorteilsgewährung), — Verstöße gegen das Gesetz gegen Wettbewerbsbeschränkungen (GWB), u.a. Beteiligung an Absprachen über Preise oder Preisbestandteile, verbotene Preisempfehlungen, Beteiligung an Empfehlungen oder Absprachen über die Abgabe oder Nichtabgabe von Angeboten, sowie die Leistung von konkreten Planungs und Ausschreibungshilfen, — andere vergleichbar schwerwiegende Verstöße. Darüber hinaus zählen Verstöße gegen das SchwarzArbG. Das AEntG und das Arbeitnehmerüberlassungsgesetz zu den schweren Verfehlungen. Mir/uns ist bekannt, dass die Nichtvorlage oder die Unrichtigkeit vorstehender Erklärung zu meinem/unserem Ausschluss von künftigen Vergabeverfahren sowie zur Kündigung eines etwa erteilten Auftrags führen kann.Ich/wir verpflichte(n) mich/uns auch, die vorstehende Erklärung von Nachunternehmern zu fordern und diese vor Zustimmung des Auftraggebers zur Weiterbeauftragung vorzulegen.

III.1.2) Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit Eignungskriterien gemäß Auftragsunterlagen

III.1.3) Technische und berufliche Leistungsfähigkeit Eignungskriterien gemäß Auftragsunterlagen

III.1.5) Angaben zu vorbehaltenen Aufträgen

III.2) Bedingungen für den Auftrag

III.2.1) Angaben zu einem besonderen Berufsstand Beruf angeben: III.2.2) Bedingungen für die Ausführung des Auftrags

III.2.3) Für die Ausführung des Auftrags verantwortliches Personal

Abschnitt IV: Verfahren

IV.1) Beschreibung

IV.1.1) Verfahrensart Offenes Verfahren

IV.1.3) Angaben zur Rahmenvereinbarung oder zum dynamischen Beschaffungssystem

IV.1.4) Angaben zur Verringerung der Zahl der Wirtschaftsteilnehmer oder Lösungen im Laufe der Verhandlung bzw. des Dialogs

IV.1.8) Angaben zum Beschaffungsübereinkommen (GPA) Der Auftrag fällt unter das Beschaffungsübereinkommen: nein

IV.2) Verwaltungsangaben

IV.2.2) Schlusstermin für den Eingang der Angebote oder Teilnahmeanträge Tag: 30.07.2018 Ortszeit: 13:00

IV.2.3) Voraussichtlicher Tag der Absendung der Aufforderungen zur Angebotsabgabe bzw. zur Teilnahme an ausgewählte Bewerber

IV.2.4) Sprache(n), in der (denen) Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können Deutsch

IV.2.6) Bindefrist des Angebots Das Angebot muss gültig bleiben bis: 31.08.2018

IV.2.7) Bedingungen für die Öffnung der Angebote Tag: 30.07.2018 Ortszeit: 13:00

Abschnitt VI: Weitere Angaben

VI.1) Angaben zur Wiederkehr des Auftrags Dies ist ein wiederkehrender Auftrag: nein

VI.2) Angaben zu elektronischen Arbeitsabläufen

VI.3) Zusätzliche Angaben Bekanntmachungs-ID: CXP9YCQDHZN

VI.4) Rechtsbehelfsverfahren/Nachprüfungsverfahren

VI.4.1) Zuständige Stelle für Rechtsbehelfs-/Nachprüfungsverfahren Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt Villemomblerstr. 76 Bonn 53123 Deutschland Telefon: +49 2289499-0 Fax: +49 2289499-163

VI.4.3) Einlegung von Rechtsbehelfen

VI.4.2) Zuständige Stelle für Schlichtungsverfahren Genaue Angaben zu den Fristen für die Einlegung von Rechtsbehelfen: Die Auftraggeberin weist ausdrücklich auf die Rügeobliegenheiten der Unternehmen/Bewerber/Bieter sowie auf die Präklusionsregelungen gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1-4 GWB hinsichtlich der Behauptung von Verstößen. Gegen die Bestimmungen über das Vergabeverfahren hin. § 107 Abs. 3 Satz 1 GWB lautet: „Der Antrag (auf Nachprüfung) ist unzulässig, soweit. 1) der Antragsteller den gerügten Verstoß gegen Vergabevorschriften im Vergabeverfahren erkannt und gegenüber dem Auftraggeber nicht unverzüglich gerügt hat; 2) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, nicht spätestens bis Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden; 3) Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, nicht spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Angebotsabgabe oder zur Bewerbung gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden; 4) mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind“. Die Auftraggeberin weist insbesondere darauf hin, dass ein Antrag auf Einleitung eines Nachprüfungsverfahrens gemäß § 107 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB unzulässig ist, wenn nach Eingang der Mitteilung der Auftraggeberin, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen (Nichtabhilfeentscheidung), mehr als 15 Kalendertage vergangen sind. Die Vergabestelle weist zudem ausdrücklich auf die Fristen des § 101 a GWB hin. Die Auftraggeberin wird gemäß § 101 a GWB die Bieter, deren Angebote nicht berücksichtigt werden sollen, hiervon vor Zuschlagserteilung nach Maßgabe des § 101 a Abs. 1 GWB informieren. Bei schriftlicher Information darf der Vertrag erst 15 Kalendertage, bei Information per Telefax oder E-Mail erst 10 Kalendertage nach Absendung der Information geschlossen werden (§ 101 a Abs. 1 Satz 3 und 4 GWB). Die Frist beginnt am Tag der Absendung der Information durch die Auftraggeberin, § 101 a Abs. 1 Satz 5 GWB.

VI.4.4) Stelle, die Auskünfte über die Einlegung von Rechtsbehelfen erteilt Vergabekammer des Bundes beim Bundeskartellamt Villemomblerstr. 76 Bonn 53123 Deutschland Telefon: +49 2289499-0 Fax: +49 2289499-163

VI.5) Tag der Absendung dieser Bekanntmachung Tag: 22.06.2018