I.1) Walter Schottky Institut / TU München

Am Coulombwall 4

85748 Garching

Telefon: +49 8928912770

E-Mail: mailto: finley@wsi.tum.de

Internet: www.wsi.tum.de

I.2) Informationen zur gemeinsamen Beschaffung

I.3) Kommunikation Die Auftragsunterlagen stehen für einen uneingeschränkten und vollständigen direkten Zugang gebührenfrei zur Verfügung unter: Internet: www.evergabe.de/unterlagen/2648074/zustellweg-auswaehlen Weitere Auskünfte erteilen/erteilt die oben genannten Kontaktstellen Angebote oder Teilnahmeanträge sind einzureichen elektronisch via: Internet: www.evergabe.de Angebote oder Teilnahmeanträge sind einzureichen an die oben genannten Kontaktstellen

I.4) Art des öffentlichen Auftraggebers Einrichtung des öffentlichen Rechts

I.5) Haupttätigkeit(en) Bildung

Abschnitt II: Gegenstand

II.1) Umfang der Beschaffung

II.1.1) Bezeichnung des Auftrags: Rasterspitzen basierendes Nanolithographie- und Nano-charakterisierungssystem Referenznummer der Bekanntmachung: WSI/2022-E24/1

II.1.2) CPV-Code Hauptteil 38000000 Laborgeräte, optische Geräte und Präzisionsgeräte (außer Gläser)

II.1.3) Art des Auftrags Lieferauftrag

II.1.4) Kurze Beschreibung: Das spitzenbasierte Nanolithografiesystem wird eingesetzt, um nanostrukturierte supraleitende Dünnschichtschaltungen zu bewerten, zu reparieren, zu modifizieren und anzupassen, die durch Standard-Elektronenstrahllithografie auf isolierenden Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 10 cm definiert worden sind. Die Nanostrukturen können Unvollkommenheiten aufweisen, z. B. Kurzschlüsse zwischen verschiedenen Schaltkreiskomponenten, die individuell behoben werden müssen. Das System sollte in der Lage sein, die Nanostrukturen topografisch oder auf andere Weise abzubilden (z. B. mit nanoelektrischen Methoden wie der Rasterkapazitätsmikroskopie oder der Rastermikrowellenimpedanzmikroskopie). Ohne die Probe oder das Gerät auszutauschen oder zu verändern, sollte es dann möglich sein, die Probe lithografisch zu bearbeiten, entweder durch Abtragen/Modifizieren einer zuvor aufgebrachten Resistschicht oder idealerweise direkt auf der Nanostruktur durch elektrochemische/oxidative oder physikalische Verfahren. Die Lithografiemethode sollte einen hochauflösenden Materialabtrag (~20 nm) ermöglichen. Das System muss mit allen Komponenten ausgestattet sein, die für den Betrieb notwendig sind, einschließlich Steuerungen, einem schall- und vibrationsisolierten Gehäuse (falls erforderlich), Computer und Software, Scanspitzen und Spitzenhalter. Die Kosten für Fracht, Garantie, Installation und Schulung sind im Endpreis enthalten. Eine englischsprachige Version dieses Textes ist auf Anfrage erhältlich.

II.1.5) Geschätzter Gesamtwert Wert ohne MwSt.: 550,00 EUR

II.1.6) Angaben zu den Losen Aufteilung des Auftrags in Lose: nein

II.2) Beschreibung

II.2.1) Bezeichnung des Auftrags

II.2.2) Weitere(r) CPV-Code(s)

II.2.3) Erfüllungsort NUTS-Code: DE21H Hauptort der Ausführung: Garching, DE

II.2.4) Beschreibung der Beschaffung: Leistungsbeschreibung für ein Rasterspitzen basierendes Nanolithographie- und Nano-charakterisierungssystem, das am Walter Schottky Institut am Lehrstuhl für Halbleiter-Nanostrukturen und Quantensysteme (Prof. J. J. Finley) installiert werden soll. Eine Übersetzung dieses Dokuments auf Englisch ist auf Wunsch erhältlich. 1.1. Aufbau des Systems Das spitzenbasierte Nanolithografiesystem wird dazu verwendet, nanostrukturierte supraleitende Dünnschichtschaltungen zu bewerten, zu reparieren, zu modifizieren und anzupassen, die durch Standard-Elektronenstrahllithografie auf isolierenden Substraten mit einem Durchmesser von bis zu 10 cm definiert worden sind. Die Nanostrukturen können Unvollkommenheiten aufweisen, z. B. Kurzschlüsse zwischen verschiedenen Schaltkreiskomponenten, die individuell behoben werden müssen. Das System sollte in der Lage sein, die Nanostrukturen topografisch oder auf andere Weise abzubilden (z. B. mit nanoelektrischen Methoden wie der Rasterkapazitätsmikroskopie oder der Rastermikrowellenimpedanzmikroskopie). Ohne die Probe oder das Gerät auszutauschen oder zu verändern, sollte es dann möglich sein, die Probe lithografisch zu bearbeiten, entweder durch Abtragen/Modifizieren einer zuvor abgeschiedenen Resistschicht oder idealerweise direkt auf der Nanostruktur durch elektrochemische/oxidative oder physikalische Verfahren. Die Lithografiemethode sollte einen hochauflösenden Materialabtrag (~20 nm) ermöglichen. Das System muss mit allen Komponenten ausgestattet sein, die für den Betrieb notwendig sind, einschließlich Steuerungen, einem schall- und vibrationsisolierten Gehäuse (falls erforderlich), Computer und Software, Scanspitzen und Spitzenhalter. Die Kosten für Fracht, Garantie, Installation und Schulung sind im Endpreis enthalten. 1.2. Leistungsspezifikationen des Systems Allgemeines Design - Das System muss über ein schall- und schwingungsisoliertes Gehäuse verfügen, wenn dies zum Erreichen der angegebenen Auflösungsmerkmale erforderlich ist (siehe Abschnitt 1.2.2 und 1.2.3) - Das System sollte auf dem Closed-Loop-Tip-Scanning basieren, mit einer Reichweite von mindestens 85 x 85 μm. Insbesondere ist es nicht erwünscht, die Position der Probe zu scannen, da die Probe elektrische Verbindungen zu externen Geräten haben kann. - Der Scanner sollte thermisch kompensiert sein. - Die effektive Zeilenabtastrate sollte mindestens 2 Hz betragen, um einen hohen Durchsatz zu erzielen. - Im Nanolithografie-Modus sollten beliebige Spitzenpfade und Sequenzen über eine mitgelieferte Software-Schnittstelle programmierbar sein. Außerdem sollte die Software-Schnittstelle es ermöglichen, vorgefertigte Muster/Spitzenpfade aus einem Standardmusterdateiformat (z. B. .DWG) zu laden und auszuführen. - Das System sollte für eine Probe mit einem Durchmesser von mindestens 10 cm und einer Dicke von 1 cm geeignet sein. - Das System sollte mit einem motorisierten Probentisch und einem optischen Mikroskop ausgestattet sein, um interessante Bereiche auf großflächigen Proben zu lokalisieren. - Die Probe sollte mit einer Vakuumspannvorrichtung und einer Vakuumpumpe oder auf andere Weise fixiert werden, ohne dass Klebstoff oder eine direkte mechanische Einspannung erforderlich ist. - Die Spitze sollte automatisch an die Probe herangeführt werden. - Es sollten Sonden für alle Lithografie- und Charakterisierungsmodi enthalten sein. 1.2.2 Fähigkeiten der Nanolithografie Das System sollte eine scharfe Abtastspitze verwenden, um die Probe mit einem oder mehreren der folgenden Verfahren lithografisch zu strukturieren: o Thermisches Abtragen einer Polymerresistschicht, die zuvor auf der Probe abgeschieden wurde. o Chemische Modifizierung einer Polymerresistschicht, die zuvor auf die Probe aufgebracht wurde. o Direkte anodische Oxidation der Probe. o Physikalischer Materialabtrag (z. B. Nanoscratching). Das Nanolithografie-Verfahren sollte eine minimale Strukturgröße von <50 nm mit einem halben Pitch von <80 nm ermöglichen. Das System sollte nahtlos zwischen den Modi Topografie und Nanolithografie wechseln. Insbesondere sollte die Wiederholbarkeit der Spitzenposition beim Umschalten zwischen den Modi <10nm betragen. Die Probe darf nicht aus dem System entfernt oder in irgendeiner Weise verändert werden, und auch die Spitze darf beim Wechsel zwischen Topografie- und Nanolithografie-Modus nicht ausgetauscht werden. Im Falle der anodischen Oxidation sollte eine Vorspannung der Spitze oder der Probe von bis zu +/- 10 V unterstützt werden. Eine Erweiterung des Spannungsbereichs auf +/- 40 V sollte mit externen Geräten möglich sein (nicht im Lieferumfang enthalten). 1.2.3 Fähigkeiten zur Probencharakterisierung Das System sollte in der Lage sein, nanostrukturierte Leiter-, Halbmetall- und Halbleiter-Dünnfilmproben mit der Abtastspitze abzubilden/zu charakterisieren. Die folgenden Messmodi sind erforderlich: o Mechanische Charakterisierung im Kontakt- und Tapping-Modus (oszillierende Spitze), die in der Lage ist, mechanische Informationen wie Modul, Adhäsion und Topografie mit einer lateralen Auflösung von < 1 nm zu liefern. o Im Tapping-Modus sollte eine Spitzenkraft von 10 pN oder weniger erreicht werden können. Die folgenden Messmodi sind erwünscht: o SMIM, um Leiter-, Halbmetall- und Halbleiterdünnschichten abzubilden, die sich unter dielektrischen Schichten befinden, z. B. Lithographieresist oder Hartmasken. Dieser Modus wird vor allem in Verbindung mit anodischer Oxidationslithografie oder resistbasierten Lithografien benötigt. Die SMIM-Empfindlichkeit sollte 0,5aF oder besser sein. o Nanoelektrische Messungen im Kontakt- oder Klopfmodus, einschließlich: - Piezoresponse-Kraftmikroskopie (PFM) - Kelvinsonden-Kraftmikroskopie (KPFM) - Rasterkapazitätsmikroskopie (SCM) Das System sollte in der Lage sein, Signal-Abstands-Kurven an jedem Pixel für die Spitzenkraft, die realen und imaginären Komponenten des SMIM-Signals (falls zutreffend) usw. aufzuzeichnen und zu visualisieren. Die nanoelektrischen Messmodi (einschließlich SMIM) sollten mit der Spitze im Tapping-Modus möglich sein. Für elektrische Messungen ist eine Vorspannung der Spitze von mindestens +/- 10 V erforderlich. Für nanoelektrische Messungen sollte der mitgelieferte Stromverstärker eine Verstärkungseinstellung von 20 pA/V bis 100 nA/V und eine Bandbreite von > 10 kHz bei allen Verstärkungseinstellungen haben. 1.3. PC-Steuerung Das System sollte einen Steuercomputer, einen Monitor, eine Tastatur, eine Maus und die erforderliche Software enthalten, die eine grafische Benutzeroberfläche für die Steuerung der Experimente und die Analyse der vom System erfassten Daten bietet. Auf dem Computer sollte Windows 10 oder Windows 11 laufen.

II.2.5) Zuschlagskriterien Die nachstehenden Kriterien Der Preis ist nicht das einzige Zuschlagskriterium; alle Kriterien sind nur in den Beschaffungsunterlagen aufgeführt

II.2.6) Geschätzter Wert Wert ohne MwSt.: 550.000,00 EUR

II.2.7) Laufzeit des Vertrags, der Rahmenvereinbarung, des dynamischen Beschaffungssystems oder der Konzession Laufzeit in Monaten: 1 Dieser Auftrag kann verlängert werden: nein

II.2.10) Angaben über Varianten/Alternativangebote Varianten/Alternativangebote sind zulässig: nein

II.2.11) Angaben zu Optionen Optionen: nein

II.2.12) Angaben zu elektronischen Katalogen

II.2.13) Angaben zu Mitteln der Europäischen Union Der Auftrag steht in Verbindung mit einem Vorhaben und/oder Programm, das aus Mitteln der EU finanziert wird: nein

II.2.14) Zusätzliche Angaben

Abschnitt III: Rechtliche, wirtschaftliche, finanzielle und technische Angaben

III.1) Teilnahmebedingungen

III.1.1) Befähigung zur Berufsausübung einschließlich Auflagen hinsichtlich der Eintragung in einem Berufs- oder Handelsregister

III.1.2) Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit Auflistung und kurze Beschreibung der Eignungskriterien: Mitteilung von Unklarheiten in den Vergabeunterlagen Enthalten die Vergabeunterlagen nach Auffassung des Bewerbers Unklarheiten, so hat er unverzüglich die Vergabestelle vor Angebotsabgabe in Textform darauf hinzuweisen. Möglicherweise geforderte Mindeststandards:

III.1.3) Technische und berufliche Leistungsfähigkeit Auflistung und kurze Beschreibung der Eignungskriterien: Der Lieferant muss in der Lage sein, Kundensupport und Service mit einer Reaktionszeit von weniger als 10 Arbeitstagen für das Gerät zu bieten. Der Lieferant muss in der Lage sein, nach Ablauf der Garantie Ersatzteile zu liefern. Möglicherweise geforderte Mindeststandards:

III.1.5) Angaben zu vorbehaltenen Aufträgen

III.2) Bedingungen für den Auftrag

III.2.1) Angaben zu einem besonderen Berufsstand Beruf angeben:

III.2.2) Bedingungen für die Ausführung des Auftrags Der Lieferant muss in der Lage sein, Kundensupport und Service mit einer Reaktionszeit von weniger als 10 Arbeitstagen für das Gerät zu bieten. - Der Lieferant muss in der Lage sein, nach Ablauf der Garantie Ersatzteile zu liefern.

III.2.3) Für die Ausführung des Auftrags verantwortliches Personal

Abschnitt IV: Verfahren

IV.1) Beschreibung

IV.1.1) Verfahrensart Offenes Verfahren Beschleunigtes Verfahren Begründung: Die Fördermittel des BMBF sind nur im Kalenderjahr 2022 verfügbar. Daher ist ein beschleunigtes Verfahren die einzige Möglichkeit, um sicherzustellen, dass der Beschaffung im Jahr 2022 abgeschlossen wird.

IV.1.3) Angaben zur Rahmenvereinbarung oder zum dynamischen Beschaffungssystem

IV.1.4) Angaben zur Verringerung der Zahl der Wirtschaftsteilnehmer oder Lösungen im Laufe der Verhandlung bzw. des Dialogs

IV.1.5) Angaben zur Verhandlung

IV.1.8) Angaben zum Beschaffungsübereinkommen (GPA) Der Auftrag fällt unter das Beschaffungsübereinkommen: nein

IV.2) Verwaltungsangaben

IV.2.1) Frühere Bekanntmachung zu diesem Verfahren

IV.2.2) Schlusstermin für den Eingang der Angebote oder Teilnahmeanträge Tag: 23.11.2022 Ortszeit: 17:00

IV.2.3) Voraussichtlicher Tag der Absendung der Aufforderungen zur Angebotsabgabe bzw. zur Teilnahme an ausgewählte Bewerber

IV.2.4) Sprache(n), in der (denen) Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können Englisch

IV.2.6) Bindefrist des Angebots Das Angebot muss gültig bleiben bis: 16.12.2022

IV.2.7) Bedingungen für die Öffnung der Angebote Tag: 24.11.2022 Ortszeit: 09:00 Ort: Walter Schottky Institut, S209 Angaben über befugte Personen und das Öffnungsverfahren: Dr. Nathan Wilson, Prof. J. J. Finley, Dr. Andreas Stier

Abschnitt VI: Weitere Angaben

VI.1) Angaben zur Wiederkehr des Auftrags Dies ist ein wiederkehrender Auftrag: nein

VI.2) Angaben zu elektronischen Arbeitsabläufen Aufträge werden elektronisch erteilt Die Zahlung erfolgt elektronisch

VI.3) Zusätzliche Angaben

VI.4) Rechtsbehelfsverfahren/Nachprüfungsverfahren

VI.4.1) Zuständige Stelle für Rechtsbehelfs-/Nachprüfungsverfahren Regierung von Oberbayern - Vergabekammer Südbayern Maximilianstraße 39 München 80538 Deutschland Telefon: +49 8921762411 E-Mail: mailto: vergabekammer.suedbayern@reg-ob.bayern.de Fax: +49 8921762847 Internet: www.regierung-oberbayern.de

VI.4.2) Zuständige Stelle für Schlichtungsverfahren

VI.4.3) Einlegung von Rechtsbehelfen

VI.4.4) Stelle, die Auskünfte über die Einlegung von Rechtsbehelfen erteilt

VI.5) Tag der Absendung dieser Bekanntmachung Tag: 09.11.2022